在半导体设备中,量检测贯穿半导体制造从前道晶圆各关键工序到中道先进封装、后道CP/FT测试的全流程。但这一前道设备长期以来80%的份额主要由海外厂商垄断,是当前国产率最低、技术壁垒较高的品类之一。
对此,国内集成电路良率管理领军企业东方晶源,聚焦电子束量检测设备与计算光刻软件双核心,以软硬协同的产品矩阵和多项达到国际先进的核心技术,为国产量检测替代提供了新解法。
东方晶源成立于2014年,总部位于北京亦庄,长期深耕的电子束量检测设备与计算光刻软件领域属于集成电路核心环节,同时也是壁垒最高,国产化率最低的“卡脖子”赛道。根据Yole统计,2025年前道量检测设备整体国产化率仅约4.2%,市场上80%的份额被海外厂商垄断,其技术壁垒主要集中在三方面:核心零部件高度依赖海外供应链、算法与工艺数据库国内积淀尚浅、客户认证周期长。
在此背景下,东方晶源依托创始人俞宗强提出的HPO理念为指引,打通设计与制造双向数据交流,构建出软硬协同的多元化芯片制造良率提升工具布局。其中硬件端,建立了包括CD-SEM、EBI、DR-SEM和 HV-SEM四款用于集成电路前道工艺的电子束量检测设备矩阵;软件端制造类EDA软件产品主要是计算光刻软件等通过优化改进光刻工艺以提高晶圆制造良率的集成电路制造类EDA软件,形成了“硬件赋能软件、软件优化硬件”的正反馈闭环。
在不断完善产品矩阵的同时,东方晶源积极顺应“十五五”规划战略方向,围绕集成电路全链条布局持续夯实技术储备。根据披露文件显示,截至2026年6月30日,东方晶源累计拥有260项授权发明专利(境内196项、境外64项),其中自研电子光学系统(EOS)实现突破,电子束缺陷检测设备(EBI)填补国内空白,纳米级电子束量检测装备累计出机超百余台;软件端计算光刻软件已掌握7nm/5nm等更先进节点所需的全部关键技术能力,并在存储领域应用于1x nm及以上节点量产并完成1y nm节点试量产。
东方晶源的技术突破正在转化为可检验的产业成果。据问询函回复及公开报道,其自研电子光学系统(EOS)四款设备于2025年下半年出机至国内头部存储客户,经过长期验证与压力测试,目前东方晶源已成为该客户电子束量检测设备的重要国产供应商,并于2026年5月至6月取得合计不含税金额1.53亿元的批量订单,为国产电子束量检测装备从技术突破向规模化产业应用延伸增添了重要观察样本。
同时,东方晶源科创板IPO获上交所受理,并于9月29日披露对上交所科创板IPO审核问询函的回复以及更新申报稿。据披露文件显示,东方晶源拟募资25亿元,将投向高端半导体良率管理设备、EDA工具研发及产业化项目。随着IPO进程的推进,东方晶源有望依托募集资金进一步精进产品性能,为国产集成电路产业链供应链的自主可控提供坚实支撑。
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